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國外
無錫科微半導體有限公司
主營:大功率IGBT模塊
地址:無錫市新吳區菱湖大道228號天安智慧城7-1004
成立時間:2022
江蘇/無錫市
泉州中福燦宏電子科技有限公司
主營:電子專用材料研發;電子專用材料制造;電子專用材料銷售;電子產品銷售;
地址:福建省泉州市安溪縣鳳城鎮民主路536號
成立時間:2021 注冊資本:100萬人民幣
福建/泉州市
福建安溪燦宏電子科技有限公司
主營:可控硅/晶閘管,單相/三相整流橋模塊,中頻爐逆變可控硅,快速晶閘管/整流管模塊,超快恢復二極管, 焊接普通晶閘管模塊,電焊機整流橋,KP普通晶閘管KK快速晶閘管,KA高頻晶閘管,KS雙向晶閘管,ZP整流二極管, ZK快恢復二極管,散熱器/
地址:福建省泉州市安溪縣鳳城鎮金龍現代廣場1號樓2206室
成立時間:2015 注冊資本:50萬人民幣
福建/泉州市
長沙傾佳電力電子技術有限公司
主營:SiC模塊全面取代IGBT模塊,SiC模塊驅動板,SiC功率模塊替代英飛凌碳化硅SiC模塊長沙代理國產替代,SiC功率模塊替代英飛凌IGBT模塊,SiC功率模塊替代三菱IPM模塊長沙代理國產替代,SiC功率模塊替代賽米控IGBT模塊長沙代理國產替代,SiC功率模塊替代FUJI富士IGBT模塊長沙代理國產替代,SiC功率模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊長沙代理國產替代,汽車級碳化硅SiC模塊,Easy3B碳化硅SiC模塊,Easy2B碳化硅SiC模塊,Easy1B碳化硅SiC模塊,34mm碳化硅SiC模塊,62
地址:長沙高新技術開發區
成立時間:2018
湖南/長沙
西安國產SiC碳化硅MOSFET有限公司
主營:楊茜SiC功率模塊國產替代英飛凌三菱賽米控丹佛斯Fuji富士碳化硅SiC模塊|楊茜SiC功率模塊國產替代英飛凌三菱賽米控FUJI富士IGBT模塊|SiC功率模塊替代三菱IGBT模塊西安代理國產替代|SiC功率模塊替代賽米控IGBT模塊西安代理國產替代|SiC功率模塊替代FUJI富士IGBT模塊西安代理國產替代|Easy1B碳化硅SiC模塊|Easy2B碳化硅SiC模塊|Easy3B碳化硅SiC模塊|34mm碳化硅SiC模塊|62mm碳化硅SiC模塊|ED3碳化硅SiC模塊|PIM碳化硅SiC模塊|SiC模
地址:西安高新技術開發區
成立時間:2018
陜西/西安
武漢國產SiC碳化硅MOSFET有限公司
主營:楊茜SiC功率模塊國產替代英飛凌三菱賽米控丹佛斯Fuji富士碳化硅SiC模塊|楊茜SiC功率模塊國產替代英飛凌三菱賽米控FUJI富士IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產替代三菱IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產替代賽米控IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產替代FUJI富士IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產替代賽米控丹佛斯功率模塊|楊茜E2B碳化硅SiC模塊|楊茜E3B碳化硅SiC模塊|楊茜34mm碳化硅SiC模塊|楊茜34mm碳化硅SiC模塊|楊茜62mm碳化硅SiC模塊|楊茜ED3碳化硅SiC模塊|
地址:武漢高新技術開發區
成立時間:2018
湖北/武漢
廈門傾佳逆變器電力電子有限公司
主營:UPS碳化硅SiC模塊|光伏逆變器SiC碳化硅MOSFET功率模塊|儲能變流器SiC碳化硅MOSFET功率模塊|SiC模塊升級替代IGBT模塊|楊茜SiC模塊驅動板|楊茜SiC功率模塊替代英飛凌碳化硅SiC模塊廈門代理國產替代|楊茜SiC功率模塊替代英飛凌IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊替代三菱IPM模塊廈門代理國產替代|楊茜SiC功率模塊替代賽米控IGBT模塊廈門代理國產替代|楊茜SiC功率模塊替代FUJI富士IGBT模塊廈門代理國產替代|楊茜SiC功率模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊廈門代理國產替代|楊茜
地址:廈門高新技術開發區
成立時間:2018
福建/廈門市
傾佳電子有限公司杭州辦事處
主營:楊茜SiC功率模塊國產替代英飛凌碳化硅SiC模塊|楊茜SiC功率模塊國產替代英飛凌IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產替代三菱IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產替代賽米控IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產替代富士IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產替代賽米控丹佛斯功率模塊|杭州SiC功率半導體BASiC基本|杭州SiC加速替代IGBT|楊茜汽車級碳化硅SiC模塊|杭州SiC模塊升級替代IGBT模塊|杭州電力電子|楊茜SiC革IGBT命|杭州SiC碳化硅MOSFET|杭州基本半導體SiC MOSFET一
地址:寧波高新技術開發區
成立時間:2018
浙江/杭州
香港傾佳電子有限公司
主營:香港隔離驅動IC|SiC加速替代IGBT|香港SiC碳化硅MOSFET|香港SiC單管替代IGBT單管|香港SiC模塊替代IGBT模塊|香港基本半導體SiC MOSFET一級代理|香港基本半導體一級代理|香港汽車SiC模塊|香港基本半導體SiC模塊|香港基本半導體SiC單管|香港基本半導體驅動IC|基本半導體SiC MOSFET|香港BASiC Semiconductor|香港工業SiC模塊|香港
地址:香港觀塘工業大廈
成立時間:2018
廣東/深圳
上海傾佳電力電子技術有限公司
主營:SiC模塊革IGBT模塊命|BASiC基本半導體SiC模塊一級代理商|基本半導體SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊|基本半導體SiC模塊替代三菱IGBT模塊|基本半導體SiC模塊替代賽米控IGBT模塊|基本半導體SiC模塊替代FUJI富士IGBT模塊|基本半導體SiC模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊|62mm基本半導體SiC碳化硅MOSFET模塊|ED3基本半導體SiC碳化硅MOSFET模塊|基本半導體SiC碳化硅降低電源紋波系數|動態響應|電抗成本|華東電力電子|BASiC基本半導體?華東SiC碳化硅功率器件
地址:上海閔行虹橋商務區
成立時間:2018
上海/閔行區
成都傾佳電子技術有限公司
主營:SiC革IGBT命|逆變焊機SiC碳化硅MOSFET|射頻電源SiC碳化硅MOSFET|等離子焊機SiC模塊|工業焊機SiC碳化硅模塊|基本半導一級代理|成都國產SiC碳化硅MOSFET|成都BASiC基本半導體|成都基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代英飛凌IGBT模塊|成都基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代三菱IGBT模塊|成都基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代賽米控IGBT模塊|成都基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代富士IGBT模塊|成都SiC革IGBT命|成都BASiC基本?SiC碳化硅革掉
地址:成都高新技術產業開發區
成立時間:2018
四川/成都
武漢傾佳電子有限公司
主營:BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代英飛凌IGBT模塊|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代富士IGBT模塊|華中SiC碳化硅MOSFET功率模塊|國產SiC碳化硅MOSFET武漢代理商|SiC碳化硅MOSFET持續替代IGBT|2000V碳化硅MOSFET|伺服驅動SiC碳化硅MOSFET|SVG及APF電能質量SiC碳化硅MOSFET|風電變流器SiC碳化硅MOSFET模塊|工業變頻器SiC碳化硅MOSFET|基本公司SiC碳化硅MOSFET|國產SiC碳化硅MOSFET武漢代理商
地址:武漢東湖新技術開發區
成立時間:2018
湖北/武漢
傾佳電子有限公司上海辦事處
主營:上海SiC碳化硅MOSFET,基本公司SiC碳化硅MOSFET上海一級代理商,中國SiC碳化硅功率器件-基本公司,碳化硅功率器件國產化,基本公司碳化硅MOSFET器件,BASiC公司碳化硅MOSFET,SiC碳化硅MOSFET取代IGBT,碳化硅MOSFET單管替代單管IGBT,SiC碳化硅MOSFET功率模塊替代IGBT模塊,碳化硅替代IGBT,SiC替代IGBT,SiC碳化硅MOSFET升級替代IGBT,基本BASiC碳化硅MOSFET晶圓,SiC碳化硅SBD晶圓,SiC碳化硅二極管晶圓,eVTOL電
地址:上海閔行虹橋商務區
成立時間:2018
上海
深圳傾佳電子碳化硅功率半導體有限公司
主營:傾佳碳化硅二極管,傾佳碳化硅SiC功率MOSFET,傾佳碳化硅MOSFET模塊,傾佳單管IGBT,傾佳IGBT模塊,傾佳隔離驅動IC,傾佳創新型車規級連接器,傾佳汽車智能互聯連接器與線束,傾佳新能源汽車連接器,傾佳新能源汽車高壓連接器與線束,傾佳直流充電座,傾佳耐高壓連接器&插座,傾佳高能效電源連接器,傾佳大功率RC-IGBT模塊,傾佳IGBT模塊驅動器,傾佳SiC碳化硅MOSFET模塊驅動板,傾佳碳化硅(SiC)MOSFET模塊,傾佳IGBT模塊,傾佳RC-IGBT模塊,傾佳碳化硅(SiC)MOSFET
地址:深圳市福田區梅林奧士達大廈
成立時間:2018
廣東/深圳
傾佳電子有限公司
主營:汽車智能互聯連接器與線束,新能源汽車連接器,新能源汽車高壓連接器與線束,直流充電座,耐高壓連接器&插座,英飛凌MOSFET,國產碳化硅(SiC)MOSFET,英飛凌IPM模塊,英飛凌IGBT單管,英飛凌IGBT單管,英飛凌IGBT模塊,賽米控IGBT模塊,丹佛斯IGBT模塊,三菱IPM模塊,富士IGBT單管,富士IGBT模塊,三菱DIP-IPM模塊,基本SiC碳化硅MOSFET,電力電子,基本汽車級碳化硅(SiC)模塊,國產氮化鎵GaN,隔離驅動IC
地址:深圳市福田區梅林奧士達大廈
成立時間:2018
廣東/深圳
上海保迪增浩國際貿易有限公司
主營:上海BASiC基本半導體代理商,汽車主驅碳化硅模塊,EV電驅動SiC MOSFET模塊,雙面水冷散熱,氫燃料電動汽車碳化硅模塊,汽車OBC碳化硅MOSFET,定制IGBT模塊,汽車IGBT模塊,全碳化硅SiC模塊,EV電動壓縮機SiC MOSFET模塊,SiC MOSFET Module,Full SiC Module,Hybrid SiC Module,國產SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET分立器件,碳化硅SiC MOSFET模塊,混合SiC-IGBT單管,三電平IGBT模塊,I型三電平S
地址:上海市靜安區南京西路1515號一座3106室
成立時間:1997
上海
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