GaN-on-SiC碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠家微波射頻器件

作為氮化鎵外延片生產(chǎn)廠家，蘇州恒邁瑞公司不僅提供RF HEMT 射頻高電子遷移管GaN 氮化鎵外延片，同時(shí)可供應(yīng)4至8英寸硅基氮化鎵外延片，4至6英寸藍(lán)寶石基氮化鎵外延片，優(yōu)秀的應(yīng)力控制技術(shù)使得材料的翹曲控制，出色的外延生長(zhǎng)技術(shù)和良好的品質(zhì)管控能力確保了外延材料批量化生產(chǎn)的均勻性和一致性。

碳化硅基氮化鎵射頻器件同時(shí)具備了碳化硅的高導(dǎo)熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優(yōu)勢(shì)，突破了砷化鎵和硅基 LDMOS 器件的固有缺陷，能夠滿足 5G 通訊對(duì)高頻性能和高功率處理能力的要求。碳化硅基氮化鎵射頻器件已逐步成為 5G 功率放大器尤其宏基站功率放大器的主流技術(shù)路線。